集成式MOSFET的多个选项允许实现300V至650V漏极电压和1A至4A漏极电流，以适合大多数3W至18W灯泡的要求。
AL1676 采用单级降压转换器拓扑，使用恒定导通时间控制，以实现高功率因数运作；简单的闭环算法确保提供精确的恒定LED输出电流，从而实现良好的线性和负载调整 率的要求。临界导通模式简化了EMI/EMC设计需求，同时能够检测关断时间，帮助消除了辅助线圈，有助于器件达到极低的BOM数目和成本。
AL1676器件具有欠压和过压、过热关断和过热降电流(thermal fold-back)等多种保护功能，从而在LED灯泡遭遇高环境温度的情况下提高系统的可靠性。高集成度水平结合小型5mm×6mm SO-7封装，还可实现非常紧凑的解决方案尺寸；通过利用不同MOSFET选项，能够在不同功率的灯泡重新使用相同的PCB引脚设计。
详情请见：https://news.eccn.com/news_2016061313005681.htm
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